先端電子デバイス（中払）研究室

シリコンなどの半導体はあらゆる情報技術を支える基盤材料ですが、従来のシリコントランジスタ技術の延長では世界中で膨大に増え続ける情報の処理で消費する電力を抑制することができません。そこで、シリコンに代わる新しい半導体材料としてグラフェンや遷移金属ダイカルコゲナイドといった２次元物質が注目を集めています。これは原子１個から数個のほどの薄さの原子薄膜であり、テープで一枚ずつ剥がしたり、他の原子膜と好きなように貼り合わせることで、これまでにない機能が得られるようになります。本研究室では、これらの２次元物質の特徴を最大限に活かした最先端の電子デバイスを開発します。特に、従来のシリコン技術を凌駕する低消費電力トランジスタから、高感度センサー、更には原子レベルで平坦な界面を活用して、脳型コンピュータや量子計算制御に用いる新しいデバイス等において、この新しく魅力的な物質の技術を展開していきます。